Hoher Widerstand dank schneller Elektronen: Die Ladungsträger (blau: Elektronen, rot: Löcher) eines Halbleiters werden durch das Magnetfeld (schwarze Pfeile) von ihrer ursprünglichen Stromrichtung (grüner Pfeil) abgelenkt; je schneller sie sind, umso stärker ist die Ablenkung entgegen der ursprünglichen Stromrichtung und damit die Zunahme des Widerstandes. In Niophosphid ist der Effekt besonders groß, weil es besonders schnelle Elektronen besitzt. [weniger]
Ein Material mit superschnellen Elektronen, das den Riesenmagneto-Widerstand zeigt, könnte sich für elektronische Bauteile eignen. Das Design elektronischer Bauteile könnte sich künftig wesentlich vereinfachen. Wissenschaftler des Max-Planck-Instituts für Chemische Physik fester Stoffe haben entdeckt, dass der elektrische Widerstand einer Verbindung aus Niob und Phosphor extrem steigt, wenn ein starkes Magnetfeld an dem Material anliegt. Dieser Riesenmagneto-Widerstand, dem modernen Festplatten ihre hohe Speicherkapazität verdanken, ist bisher vor allem von komplex strukturierten Materialien bekannt. Niobphosphid oder ein Material mit ähnlichen Eigenschaften kommt da als Alternative in Frage, die sich leichter herstellen lässt. Die neuen Erkenntnisse zu Niobphosphid haben die Max-Planck-Forscher gemeinsam mit Kollegen des Hochfeld-Magnetlabors am Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf und der Radboud University in den Niederlanden in der Fachzeitschrift Nature Physics veröffentlicht. Hoher Widerstand dank schneller Elektronen: Die Ladungsträger (blau: Elektronen, rot: Löcher) eines Halbleiters werden durch das Magnetfeld (schwarze Pfeile) von ihrer ursprünglichen Stromrichtung (grüner Pfeil) abgelenkt; je schneller sie sind, umso stärker ist die Ablenkung entgegen der ursprünglichen Stromrichtung und damit die Zunahme des Widerstandes.
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