Die nanometergrosse Spitze eines Rastertunnelmikroskops erzeugt auf kleinster Skala elektrische Felder innerhalb einer Halbleiteroberfläche. Mit Hilfe optischer Anregung oder per Ladungsinjektion durch den Tunnelstrom kann das Gleichgewicht der Feldabschirmung aktiv gestört werden.
Forscherteam der Universität Göttingen entdeckt Modellsystem auf atomarer Skala. (pug) Viele heutige elektronische Bauteile haben im Zuge ihres Miniaturisierungsprozesses eine Grösse auf der atomaren Skala erreicht. Ein substantieller Faktor für eine erfolgreiche Funktionalität ist hierbei die Kontrolle elektrischer Ladungen und Felder auf kleinster Skala. Ein Forscherteam der Universität Göttingen hat ein Modellsystem gefunden, mit dem es möglich ist, die Dynamik einzelner Ladungsträger innerhalb solcher elektronischen Strukturen mit molekularer Auflösung zu charakterisieren. Die Ergebnisse sind in der Fachzeitschrift Nature erschienen. „Das Experiment besteht aus einer Kombination von optischer Anregung mit Hilfe eines Lasers und der Rastertunnelmikroskopie“, erklärt Erstautor Philipp Kloth vom IV. Physikalischen Institut der Universität Göttingen.
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